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美光科技指出，人工智能基礎設施對高端半導體的需求激增，正引發(fā)一場“史無前例”的內(nèi)存芯片短缺。該公司警告，這一供應緊張局面在過去季度持續(xù)加劇，并將延續(xù)至2026年之后。

美光運營執(zhí)行副總裁Manish Bhatia表示，AI加速器所需的高帶寬內(nèi)存（HBM）“消耗了行業(yè)絕大部分可用產(chǎn)能，導致手機、個人電腦等傳統(tǒng)領域面臨嚴重短缺”。

芯片短缺已產(chǎn)生連鎖反應。據(jù)界面報道，由于內(nèi)存成本上漲，小米、Oppo及傳音控股等主要手機制造商已下調(diào)2026年出貨目標，其中Oppo預測降幅高達20%。行業(yè)機構Counterpoint Research此前估計，因存儲芯片成本上升與產(chǎn)能擠壓，2026年全球智能手機出貨量可能下降2.1%。

影響范圍正持續(xù)擴大，戴爾等個人電腦制造商也已預警可能受短缺沖擊。與此同時，消費電子、自動駕駛及人形機器人等領域對存儲芯片的需求仍在攀升，多家廠商已開始爭奪2026年之后的產(chǎn)能供應。

AI需求重塑供應格局

全球三大內(nèi)存芯片巨頭美光、SK海力士與三星電子股價在2025年因AI需求爆發(fā)而大幅上漲。SK海力士透露，公司2026年的芯片產(chǎn)能已全部售罄；美光也表示，其面向AI的高端內(nèi)存產(chǎn)品在今年內(nèi)已被預訂一空。過去一年，美光股價漲超231.6%。

為優(yōu)先保障英偉達等戰(zhàn)略客戶的供應，美光于去年12月宣布將終止旗下廣受歡迎的消費級內(nèi)存品牌Crucial的業(yè)務。DRAM作為構建高帶寬內(nèi)存（HBM）的核心，為英偉達、英特爾等公司的先進處理器提供關鍵的運算環(huán)境，是確保AI加速器高效運行的重要基礎。

加速擴張產(chǎn)能

AI行業(yè)對內(nèi)存芯片的巨大需求，正加速美光在美國與亞洲的產(chǎn)能擴張進程。周六，美光宣布計劃斥資18億美元收購中國臺灣一處現(xiàn)有工廠的廠址，該地區(qū)是這家總部位于愛達荷州博伊西的芯片制造商的關鍵生產(chǎn)基地。
此舉將顯著縮短新工廠的建設周期。公司預計將于2027年下半年實現(xiàn)大規(guī)模DRAM晶圓產(chǎn)出。美光運營執(zhí)行副總裁Manish Bhatia在周五的采訪中指出，

“我們在亞洲的廠址將繼續(xù)向下一代技術演進，而新增的晶圓產(chǎn)能則將主要集中于美國本土。”

目前，美光正推進多項大型建廠計劃：其在紐約州錫拉丘茲附近斥資1000億美元的項目將建設四座DRAM晶圓廠，每座規(guī)模約相當于十個足球場，首批晶圓計劃于2030年下線。同時，公司正在博伊西的現(xiàn)有研發(fā)設施旁擴建兩座晶圓廠，其中首座愛達荷工廠預計2027年投產(chǎn)，第二座已在規(guī)劃中。此外，弗吉尼亞州的現(xiàn)有制造設施也在進行現(xiàn)代化改造與產(chǎn)能提升。

這些投資是美光承諾將40%的DRAM制造轉移至美國本土的重要組成，該目標得到了2024年獲得的62億美元《芯片法案》撥款支持，同時在建設期間還可享受35%的稅收抵免優(yōu)惠。

來源：華爾街見聞官方賬號